2025년 6월 24일, 징성전기기계, 저장대학교 집적회로학원, 저장촹신은 산학연 융합을 통해 국산 집적회로 장비의 돌파를 가속화하기 위해 첨단 집적회로 장비 및 공정 공동 연구개발센터와 집적회로 인재 양성 및 기술 혁신 산학협력센터, 두 개의 센터를 공동 구축하는 전략적 협력 협약을 체결했다.   세 주체는 12인치 실리콘 에피택셜 장비 및 공정의 공동 연구개발에 집중하고, 인재 유치 및 육성 메커니즘을 구축해 산학 융합을 촉진한다. 징성전기기계의 산업화 역량, 저장대학교의 연구개발 역량, 저장촹신의 플랫폼 전환 역량을 결합해 ‘기초 연구 - 기술 돌파 - 성과 전환 - 산업 적용’의 폐쇄형 고리를 구축하고, 장비 병목 기술을 돌파하며 복합형 인재를 육성하고 산업의 핵심 경쟁력을 강화하는 것을 목표로 한다.   징성전기기계는 중국의 선도적인 반도체 소재 장비 기업으로, 저장대 집적회로학원과 저장촹신이 운영하는 성급 12인치 집적회로 혁신 플랫폼을 기반으로 강력한 연구 역량을 갖추고 있다. 또한 과거에는 장강삼각주 실리콘 웨이퍼 연마 기술 컨소시엄을 주도한 바 있다. 이번 협력은 장비의 국산화, 원가 절감 및 효율 향상을 한층 더 촉진하고(원가를 약 20% 절감할 것으로 예상), 국내 집적회로 산업체인의 독립적이고 통제 가능한 발전에 힘을 보탠다.

2025년 10월, 천청반도체는 12인치 실리콘 카바이드 연구개발에서 중대한 돌파구를 발표했다. 자체 개발한 장결정 장비에 힘입어 고순도의 반절연형 및 N형 12인치 SiC 단결정을 성공적으로 생산했다. N형 결정의 유효 두께는 35mm를 넘었고, 자체 개발 장비는 최대 350mm 단결정을 생산할 수 있다. 동시에 두 종류 단결정의 성숙한 제조 공정도 확보했다.  이 기업은 2021년에 설립되어 실리콘 카바이드 기판과 장결정 장비의 연구개발 및 제조에 깊이 전념해 왔으며, 기술 고도화의 흐름도 뚜렷하다. 2022년에는 6인치 SiC 잉곳 소량 생산을 달성했고, 2023년에는 8인치 기술을 돌파했다. 2024년에는 두께 균일도 오차를 2마이크론 이내로 제어한 8인치 양산을 실현했다. 2025년 7월에는 12인치 N형 SiC 핵심 공정을 선도적으로 정복하고, 저항로 공정을 혁신해 업계 성장률 병목을 돌파했으며, 미세관 밀도를 크게 낮추고 65%의 수율을 달성했다. 현재 이 회사는 단결정로, 분말 준비부터 대규모 결정 성장 및 가공까지 완전한 생산 라인을 구축해 SiC 전 공정 기술의 자주적·통제 가능성을 확보하고, 3세대 반도체 기판 국산화의 핵심 경쟁력을 다지고 있다.

최근 국내 반도체 실리콘 소재 분야에서 중요한 사업 배치가 이뤄졌다. 바오터우에 대규모 반도체용 실리콘 단결정 기지를 구축하기 위해 4억 위안의 연구용 실리콘 투자가 이루어졌다. 완공 후 연간 단결정 실리콘 생산량은 1,000톤을 넘어설 것으로 예상되며, 2027년 12월부터 효과가 나타날 것으로 보인다.  상하이 허징은 최대 9억 위안의 추가 자금 조달을 계획하고 있으며, 12인치 대구경 실리콘 웨이퍼의 산업화에 중점을 두어 국산 대체를 지원할 예정이다. 현재 글로벌 반도체용 실리콘 웨이퍼 시장은 과점 구도가 지배하고 있으며, 상위 5개 업체가 약 90%를 차지하고 첨단 공정 포지셔닝을 가속화하고 있다. 중국은 현재 국산 대체의 중요한 전환기에 있으며, 상하이 실리콘 인더스트리와 같은 기업들이 대규모 양산 돌파를 추진하고 있다. 업계 관계자들은 이 산업이 진입 장벽이 높고 주기가 길며, 국내 기업이 국제 거대 기업들과의 배치를 최적화하려는 노력이 경쟁을 더욱 심화시킬 것이라고 말한다. 국산 대체 과정은 중국 관련 산업의 고품질 발전을 촉진할 것이다.