천청반도체, 12인치 SiC에서 새로운 돌파구

2025년 10월, 천청반도체는 12인치 실리콘 카바이드 연구개발에서 중대한 돌파구를 발표했다. 자체 개발한 장결정 장비에 힘입어 고순도의 반절연형 및 N형 12인치 SiC 단결정을 성공적으로 생산했다. N형 결정의 유효 두께는 35mm를 넘었고, 자체 개발 장비는 최대 350mm 단결정을 생산할 수 있다. 동시에 두 종류 단결정의 성숙한 제조 공정도 확보했다.

 
이 기업은 2021년에 설립되어 실리콘 카바이드 기판과 장결정 장비의 연구개발 및 제조에 깊이 전념해 왔으며, 기술 고도화의 흐름도 뚜렷하다. 2022년에는 6인치 SiC 잉곳 소량 생산을 달성했고, 2023년에는 8인치 기술을 돌파했다. 2024년에는 두께 균일도 오차를 2마이크론 이내로 제어한 8인치 양산을 실현했다. 2025년 7월에는 12인치 N형 SiC 핵심 공정을 선도적으로 정복하고, 저항로 공정을 혁신해 업계 성장률 병목을 돌파했으며, 미세관 밀도를 크게 낮추고 65%의 수율을 달성했다. 현재 이 회사는 단결정로, 분말 준비부터 대규모 결정 성장 및 가공까지 완전한 생산 라인을 구축해 SiC 전 공정 기술의 자주적·통제 가능성을 확보하고, 3세대 반도체 기판 국산화의 핵심 경쟁력을 다지고 있다.